MT18JSF1G72AZ-1G9P1內(nèi)存條MT16KTF1G64AZ-1G6N1

在本屆臺(tái)北電腦展(Computex 4)上，Crucial宣布了多個(gè)與DDR4有關(guān)的消息。首先，該公司現(xiàn)已出貨面向“基于Haswell-EP”的至強(qiáng)處理器的DDR4服務(wù)器內(nèi)存。作為“下一代內(nèi)存”，該模組運(yùn)行于2133MT/s、帶寬為17GB/s。容量方面，其目前提供單條4/8/16GB，并且Crucial還計(jì)劃擴(kuò)展32/64/128GB產(chǎn)品線。當(dāng)然，只有在Crucial用上單顆1GB得DDR4顆粒之后，這些高容量DDR4內(nèi)存模組才會(huì)順利到來(lái)(當(dāng)前型號(hào)仍在使用單顆512MB的的顆粒)。消費(fèi)者平臺(tái)方面，Crucial將于今年8月開(kāi)始出貨面向Haswell-E處理器和X99芯片組的DDR4內(nèi)存模組。

除了2133MT/s的型號(hào)，該公司還將推出Ballistix Elite品牌的高端模組，分別有2600MT/s和3000MT/s的規(guī)格(最高帶寬24GB/s)。為了保證高頻下的穩(wěn)定性，Crucial還為Ballistix Elite DDR4內(nèi)存模組配上了大小合理的馬甲。而為了便于玩家測(cè)溫，它還板載了一個(gè)溫度傳感器。Crucial的臺(tái)式機(jī)DDR4內(nèi)存模組支持全新的XMP 2.0，配置更加方便。除了4GB和8GB的版本外，它還提供最高4通道@32GB的套裝。這些內(nèi)存模組采用25nm工藝制造，運(yùn)行電壓為1.2V。與DDR3內(nèi)存相比，其能源效率要高出40%。這主要?dú)w功于更低的電壓和更新的制造工藝(從30nm到25nm)。需要提醒的是，英特爾尚未公布Haswell-E的確切上市日期，但如果與之兼容的DDR4內(nèi)存會(huì)在8月開(kāi)賣，那么X99主板也不會(huì)太遠(yuǎn)了。

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